ООО Гуандун Сяовэй Нью Энерджи Технолоджи
Индустриальный парк Таймин, район Хуэйян, провинция Гуандун (150 метров к югу от Лижэнь-роуд)Основное использование – для обнаружения функциональных показателей защитной платы аккумулятора.
Артикул: XW-PBTS-S;
Срок изготовления и поставки: 15 дней;
Примечание: Фабрика XIAOWEI поддерживает изготовление под заказ (OEM).
Тестер многофункциональных защитных плат XW – PBTS/XW – PBTSL в основном используется для проверки того, находятся ли функциональные показатели защитной платы аккумулятора в пределах параметрического диапазона, тем самым предоставляя сотрудникам набор стандартов тестирования.
Он применяется для тестирования защитных пластин аккумулятора производителями защитных плат и производителями аккумуляторов. Широко используется в таких областях, как электроинструменты, садовые инструменты, электровелосипеды, источники энергосбережения и т.д. Подходит для защитных плат аккумуляторов на литий – ионных батареях различных серий с различными программными и аппаратными решениями ИС разных компаний.
Поддерживаются следующие функциональные тесты:
– Напряжение защиты от перезаряда;
– Напряжение восстановления после защиты от перезаряда;
– Напряжение защиты от глубокого разряда;
– Напряжение восстановления после защиты от глубокого разряда;
– Защита от тока глубокого разряда;
– Тест производительности защиты от короткого замыкания;
– Защита от тока зарядки;
– Напряжение включения выравнивания;
– Ток выравнивания в реальном времени;
– Общее энергопотребление платы BMS;
– Ток самопотребления одного сегмента;
– Задержка защиты от перезаряда;
– Задержка защиты от глубокого разряда;
– Задержка защиты от тока перегрузки;
– Внутреннее сопротивление.
Модель | PBTS4 – 120 | PBTS6 – 120 | PBTS10 – 120 | PBTS16 – 120 | PBTS20 – 120 | PBTS24 – 120 | PBTS32 – 150 |
Серия | 1-4 | 1-6 | 1-10 | 1-16 | 1-20 | 1-24 | 1 – 32 |
Напряжение защиты от перезаряда | 0,5 – 5 В (Точность ±1 мВ) | ||||||
Напряжение защиты от глубокого разряда | 0,5 – 5 В (Точность ±1 мВ) | ||||||
Напряжение восстановления после защиты от перезаряда (самовосстановление) | 0,5 – 5 В (Точность +1 мВ) | ||||||
Напряжение восстановления после защиты от глубокого разряда (самовосстановление) | 0,5 – 5 В (Точность +1 мВ) | ||||||
Ток защиты от перезаряда | 0 – 40 А (Точность ±0,1 А) | ||||||
Ток защиты от глубокого разряда | 0 – 120 А (Точность ±0,1 А); 0 – 150 А | ||||||
Напряжение включения выравнивания | 0,5 – 5 В (Точность ±1 мВ) | ||||||
Ток выравнивания в реальном времени | 0 – 200 мА (Точность ±1 мА) | ||||||
Задержка защиты от тока перегрузки | 0 – 15 с (Точность +1 мс), регулируемая | ||||||
Задержка защиты от перезаряда/разряда | 0 – 20 с (Точность ±1 мс), регулируемая | ||||||
Общее самопотребление | 0 – 10 мкА (Точность ±5 мкА) | ||||||
Самопотребление одного элемента | 0 – 500 мкА (Точность ±1 мкА) | ||||||
Внутреннее сопротивление | 0 – 500 мОм (Точность ±1 мОм) | ||||||
Защита от короткого замыкания (10 элементов или более) | 0 – 9999 мкс (Точность ±1 мкс) | ||||||
Применение | Все аппаратные решения и большинство программных плат на рынке |